2SC2570. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC2570
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 2SC2570
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC2570 даташит
2sc2570a.pdf
DATA SHEET NPN SILICON TRANSISTOR 2SC2570A HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC2570A is designed for use in Low Noise Amplifier of VHF & UHF stages. FEATURES Low noise and high gain NF = 1.5 dB TYP., Ga = 8 dB TYP. @f = 1.0 GHz, VCE = 10 V, IC = 5.0 mA Wide dynamic range NF = 1.9 dB, Ga = 9 dB @f = 1 GHz, VCE = 10 V, IC = 1
2sc2570a.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN RF Transistor 2SC2570A DESCRIPTION Low Noise and High Gain NF = 1.5 dB TYP. Ga = 8 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = 10 V, I = 5 mA CE C Wide Dynamic Range NF = 1.9 dB TYP. Ga = 9 dB TYP. @f = 1.0 GHz, V = 10 V, I = 15 mA CE C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS
2sc2577.pdf
2SC2577 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER SC-65 High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SA1102 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25 C C) C C Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 160 V Collector-Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 8 A Collector
2sc2578.pdf
2SC2578 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER SC-65 High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SA1104 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 140 V Collector-Emitter Voltage VCEO 100 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 7 A
Другие транзисторы: 2SC2564, 2SC2565, 2SC2566, 2SC2567, 2SC2567A, 2SC2568, 2SC2569, 2SC257, TIP142, 2SC2570A, 2SC2571, 2SC2571-1, 2SC2571-2, 2SC2572, 2SC2573, 2SC2575, 2SC2575L
History: 2SC3697
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor






