2SC2670. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC2670

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC2670

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2670 даташит

 ..1. Size:349K  toshiba
 2sc2670.pdf pdf_icon

2SC2670

2SC2670 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2670 High Frequency Amplifier Applications Unit mm AM High Frequency Amplifier Applications AM Frequency Converter Applications Low noise figure NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz) Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 35 V Collector-emitter v

 8.1. Size:255K  1
 2sc2673 2sc4040.pdf pdf_icon

2SC2670

 8.2. Size:120K  rohm
 2sc2673.pdf pdf_icon

2SC2670

 8.3. Size:41K  panasonic
 2sc2671 e.pdf pdf_icon

2SC2670

Transistor 2SC2671(F) Silicon NPN epitaxial planer type For UHF band low-noise amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Low noise figure NF. High gain. High transition frequency fT. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) +0.2 +0.2 Parameter Symbol Ratings Unit 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 15 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCER* 14 V E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2668O, 2SC2668R, 2SC2668Y, 2SC2669, 2SC2669O, 2SC2669R, 2SC2669Y, 2SC267, BC548, 2SC2670O, 2SC2670R, 2SC2670Y, 2SC2671, 2SC2672, 2SC2673, 2SC2674, 2SC2675