Биполярный транзистор 2SC2671 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2671
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 14 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
2SC2671 Datasheet (PDF)
2sc2671 e.pdf
Transistor2SC2671(F)Silicon NPN epitaxial planer typeFor UHF band low-noise amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesLow noise figure NF.High gain.High transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)+0.2 +0.2Parameter Symbol Ratings Unit0.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 15 V1.27 1.27Collector to emitter voltage VCER* 14 VE
2sc2671.pdf
Transistor2SC2671(F)Silicon NPN epitaxial planer typeFor UHF band low-noise amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesLow noise figure NF.High gain.High transition frequency fT.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)+0.2 +0.2Parameter Symbol Ratings Unit0.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 15 V1.27 1.27Collector to emitter voltage VCER* 14 VE
2sc2670.pdf
2SC2670 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2670 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm AM High Frequency Amplifier Applications AM Frequency Converter Applications Low noise figure: NF = 3.5dB (max) (f = 1 MHz) Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 35 VCollector-emitter v
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
