2SC2751N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC2751N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для 2SC2751N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2751N даташит

 7.1. Size:216K  inchange semiconductor
 2sc2751.pdf pdf_icon

2SC2751N

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2751 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min) CEO(SUS) High Current Capability High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed, high current switching industrial applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

 8.1. Size:307K  toshiba
 2sc2753.pdf pdf_icon

2SC2751N

2SC2753 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC2753 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Application Unit mm Low noise figure, high gain NF = 1.5dB, S 2 = 16dB (f = 500 MHz) 21e NF = 1.7dB, S 2 = 10.5dB (f = 1 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 17 V Collector-emitter v

 8.2. Size:188K  nec
 2sc2752.pdf pdf_icon

2SC2751N

 8.3. Size:200K  no
 2sc2750.pdf pdf_icon

2SC2751N

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2745, 2SC2746, 2SC2748, 2SC2749, 2SC2749A, 2SC274H, 2SC2751, 2SC2751A, BC327, 2SC2751O, 2SC2751R, 2SC2751Y, 2SC2752, 2SC2752N, 2SC2752O, 2SC2752R, 2SC2752Y