Биполярный транзистор 2SC2786LF - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2786LF
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SPAK
Аналоги (замена) для 2SC2786LF
2SC2786LF Datasheet (PDF)
2sc2782.pdf
2SC2782 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2SC2782 VHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm Output Power : Po = 80W (Min.) (f = 175MHz, VCC = 12.5V, Pi = 18W) MAXIMUM RATINGS (Tc = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Base Voltage VCBO 36 VCollector-Emitter Voltage VCEO 16 VEmitter-Base Voltage VEBO 4 VCollector Current IC 20 A
2sc2785.pdf
2SC2785 TO-92S Transistor (NPN) 1. EMITTER TO-92S 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 Features High voltage VCEO:50V Excellent hFE Linearity:0.92 TYP hFE1 (0.1mA)/ hFE2 (1mA) Complementary to 2SA1175 PNP transistor MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Value UnitsParameter VCBO 60 VCollector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO
2sc2780.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2780SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=50mA Collector Emitter Voltage VCEO=140V Complementary to 2SA11730.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 140 Collector - Emitter Voltage VCEO
2sc2788.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2788DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageCollector-Emitter Breakdown VoltageGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulators applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050