2SC2850. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC2850
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 2SC2850
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC2850 даташит
2sc2859.pdf
2SC2859 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial (PCT process) 2SC2859 Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Unit mm Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications Excellent hFE linearity hFE (2) = 25 (min) (VCE = 6 V, IC = 400 mA) Complementary to 2SA1182. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-
2sc2857.pdf
Ordering number EN753C NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC2857 High-Voltage Driver Applications Applications Package Dimensions Color TV vertical driver, sound driver applications. unit mm 2003A Features [2SC2857] High breakdown voltage (VCEO 180V) High collector dissipation (PC=500mW) JEDEC TO-92 B Base EIAJ SC-43 C Collector E Emitter SANYO
2sc2851 e.pdf
Transistor 2SC2851 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency power amplification Unit mm 5.9 0.2 4.9 0.2 Features High transition frequency fT. Output of 0.6W is obtained in the VHF band (f = 175MHz). 0.7 0.1 2.54 0.15 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 36 V Collector to emitter voltage VCEO 16 V +0
2sc2855 2sc2856.pdf
2SC2855, 2SC2856 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency low noise amplifier Complementary pair with 2SA1190 and 2SA1191 Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SC2855, 2SC2856 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol 2SC2855 2SC2856 Unit Collector to base voltage VCBO 90 120 V Collector to emitter voltage VCEO 90 120 V Emitter to bas
Другие транзисторы: 2SC284, 2SC2840, 2SC2841, 2SC2844, 2SC2845, 2SC2847, 2SC284H, 2SC285, BD222, 2SC2851, 2SC2852, 2SC2853, 2SC2854, 2SC2855, 2SC2856, 2SC2857, 2SC2858
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet








