2SC2914 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2914  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC2914

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2914 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 2sc2914.pdf pdf_icon

2SC2914

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2914 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V (Min) (BR)CEO High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulator and high voltage switching applications High speed DC-DC converter applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 8.1. Size:43K  sanyo
 2sa1209 2sc2911 2sc2911.pdf pdf_icon

2SC2914

Ordering number ENN779D PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1209/2SC2911 160V/140mA High-Voltage Switching and AF 100W Predriver Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET process. unit mm High breakdown voltage. 2009B Good linearity of hFE and small Cob. [2SA1209/2SC2911] Fast switching speed. 8.0 2.7 4.0 3.0 1.6 0.8 0.8 0.6 0.5

 8.2. Size:44K  sanyo
 2sa1208 2sc2910 2sc2910.pdf pdf_icon

2SC2914

Ordering number ENN781G PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1208/2SC2910 High-Voltage Switching Audio 80W Output Predriver Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET process. unit mm High breakdown voltage. 2006B Excellent linearity of hFE and small Cob. [2SA1208/2SC2910] Fast swtching speed. 6.0 5.0 4.7 0.5 0.6 0.5 0.5 1 2 3 1 Emi

 8.3. Size:196K  inchange semiconductor
 2sc2911.pdf pdf_icon

2SC2914

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2911 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 160V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE High Switching Speed Complement to Type 2SA1209 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage switching and AF 100W predriver applications. ABSOLUTE MAXIMUM R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC2907, 2SC2908, 2SC2909, 2SC291, 2SC2910, 2SC2911, 2SC2912, 2SC2913, 2SD669, 2SC2915, 2SC2917, 2SC2918, 2SC292, 2SC2920, 2SC2921, 2SC2922, 2SC2923