2SC293 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC293  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC293

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC293 даташит

 0.2. Size:120K  mospec
2sc2938.pdfpdf_icon

2SC293

A A A

 0.3. Size:370K  inchange semiconductor
2sc2938.pdfpdf_icon

2SC293

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2938 DESCRIPTION High Collector-Emitter Sustaining Voltage V = 800V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed and high power applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX UNIT V Colle

 0.4. Size:74K  inchange semiconductor
2sc2937.pdfpdf_icon

2SC293

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2937 DESCRIPTION With TO-247 package Switching power transistor High breakdown voltage APPLICATIONS For switching regulator applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol 3 Emitter Absolute maximum

Другие транзисторы: 2SC2923, 2SC2924, 2SC2925, 2SC2926, 2SC2927, 2SC2928, 2SC2929, 2SC292S, D667, 2SC2930, 2SC2931, 2SC2932, 2SC2933, 2SC2934, 2SC2935, 2SC2936, 2SC2937