2SC2995R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2995R  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC2995R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2995R даташит

 7.1. Size:510K  toshiba
2sc2995.pdfpdf_icon

2SC2995R

2SC2995 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2995 FM/AM RF, MIX, OSC, IF Unit mm High Frequency Amplifier Applications High stability oscillation voltage on FM local oscillator. Recommend FM/AM RF, MIX, OSC and IF. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 40 V Collector-emitter vo

 8.1. Size:507K  toshiba
2sc2996.pdfpdf_icon

2SC2995R

2SC2996 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2996 FM/AM RF, MIX, Local, IF Unit mm High Frequency Amplifier Applications High stability oscillation voltage on FM local oscillator Recommend FM/AM RF, MIX, local and IF Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 40 V Collector-emitter

 8.2. Size:189K  sanyo
2sc2999.pdfpdf_icon

2SC2995R

Ordering number EN931D NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC2999 HF Amplifier Applications Features Package Dimensions FBET series. unit mm Very small-sized package permitting sets to be small- 2033 sized and slim. [2SC2999] High fT (fT=750MHz typ.) and small Cre (Cre=0.6pF typ). B Base C Collector E Emitter SANYO SPA Specifications Absolute Maximum R

 8.3. Size:341K  lge
2sc2999.pdfpdf_icon

2SC2995R

2SC2999 TO-92S Transistor (NPN) 1. EMITTER TO-92S 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 Features High fT(fT=750MHZ typ) and small Cre (Cre=0.6pF typ) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 25 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 3 V IC Collector Current -Continuous 30 mA PC Collector

Другие транзисторы: 2SC2988, 2SC2989, 2SC298S, 2SC299, 2SC2991, 2SC2992, 2SC2995, 2SC2995O, BC547B, 2SC2995Y, 2SC2996, 2SC2996O, 2SC2996R, 2SC2996Y, 2SC2997, 2SC2998, 2SC2999