2SC2996 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC2996  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC2996

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC2996 даташит

 ..1. Size:507K  toshiba
2sc2996.pdfpdf_icon

2SC2996

2SC2996 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2996 FM/AM RF, MIX, Local, IF Unit mm High Frequency Amplifier Applications High stability oscillation voltage on FM local oscillator Recommend FM/AM RF, MIX, local and IF Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 40 V Collector-emitter

 ..2. Size:1700K  kexin
2sc2996.pdfpdf_icon

2SC2996

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SC2996 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current Capability IC=50mA 1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=30V +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 40 Colle

 8.1. Size:510K  toshiba
2sc2995.pdfpdf_icon

2SC2996

2SC2995 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2995 FM/AM RF, MIX, OSC, IF Unit mm High Frequency Amplifier Applications High stability oscillation voltage on FM local oscillator. Recommend FM/AM RF, MIX, OSC and IF. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 40 V Collector-emitter vo

 8.2. Size:189K  sanyo
2sc2999.pdfpdf_icon

2SC2996

Ordering number EN931D NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC2999 HF Amplifier Applications Features Package Dimensions FBET series. unit mm Very small-sized package permitting sets to be small- 2033 sized and slim. [2SC2999] High fT (fT=750MHz typ.) and small Cre (Cre=0.6pF typ). B Base C Collector E Emitter SANYO SPA Specifications Absolute Maximum R

Другие транзисторы: 2SC298S, 2SC299, 2SC2991, 2SC2992, 2SC2995, 2SC2995O, 2SC2995R, 2SC2995Y, 2N2907, 2SC2996O, 2SC2996R, 2SC2996Y, 2SC2997, 2SC2998, 2SC2999, 2SC2999C, 2SC2999D