Справочник транзисторов. 2SC299S

 

Биполярный транзистор 2SC299S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC299S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO37
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC299S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:507K  toshiba
2sc2996.pdfpdf_icon

2SC299S

2SC2996 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2996 FM/AM RF, MIX, Local, IF Unit: mm High Frequency Amplifier Applications High stability oscillation voltage on FM local oscillator Recommend FM/AM RF, MIX, local and IF Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 40 VCollector-emitter

 8.2. Size:510K  toshiba
2sc2995.pdfpdf_icon

2SC299S

2SC2995 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2995 FM/AM RF, MIX, OSC, IF Unit: mm High Frequency Amplifier Applications High stability oscillation voltage on FM local oscillator. Recommend FM/AM RF, MIX, OSC and IF. Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 40 VCollector-emitter vo

 8.3. Size:189K  sanyo
2sc2999.pdfpdf_icon

2SC299S

Ordering number:EN931DNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC2999HF Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions FBET series.unit:mm Very small-sized package permitting sets to be small-2033sized and slim.[2SC2999] High fT (fT=750MHz typ.) and small Cre(Cre=0.6pF typ).B : BaseC : CollectorE : EmitterSANYO : SPASpecificationsAbsolute Maximum R

 8.4. Size:341K  lge
2sc2999.pdfpdf_icon

2SC299S

2SC2999 TO-92S Transistor (NPN)1. EMITTER TO-92S 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 Features High fT(fT=750MHZ typ) and small Cre (Cre=0.6pF typ) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 25 VVCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base Voltage 3 V IC Collector Current -Continuous 30 mA PC Collector

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
Back to Top

 


 
.