Справочник транзисторов. 2SC301

 

Биполярный транзистор 2SC301 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC301
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 185 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2SC301

 

 

2SC301 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:320K  toshiba
2sc3011.pdf

2SC301
2SC301

2SC3011 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3011 UHF~C Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm High gain: |S21e|2 = 12dB (typ.) Low noise figure: NF = 2.3dB (typ.), f = 1 GHz High fT: f = 6.5 GHz TMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 7

 0.2. Size:28K  no
2sa1232 2sc3012 2sc3012.pdf

2SC301

 0.3. Size:1244K  kexin
2sc3011.pdf

2SC301
2SC301

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC3011SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current Capability IC=30mA Collector Emitter Voltage VCEO=7V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collec

 0.4. Size:132K  inchange semiconductor
2sc3012-3pn.pdf

2SC301
2SC301

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3012 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SA1232 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency power amplifier. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum rat

 0.5. Size:202K  inchange semiconductor
2sc3012.pdf

2SC301
2SC301

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3012DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 130V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1232Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor audio frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI

Другие транзисторы... 2SC3000F , 2SC3001 , 2SC3004 , 2SC3005 , 2SC3006 , 2SC3007 , 2SC3008 , 2SC3009 , TIP3055 , 2SC3010 , 2SC3011 , 2SC3012 , 2SC3013 , 2SC3014 , 2SC3015 , 2SC3016 , 2SC3017 .

 

 
Back to Top