Биполярный транзистор 2SC3017 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3017
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO5
2SC3017 Datasheet (PDF)
2sc3011.pdf
2SC3011 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3011 UHF~C Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm High gain: |S21e|2 = 12dB (typ.) Low noise figure: NF = 2.3dB (typ.), f = 1 GHz High fT: f = 6.5 GHz TMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 7
2sc3011.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC3011SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current Capability IC=30mA Collector Emitter Voltage VCEO=7V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collec
2sc3012-3pn.pdf
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3012 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SA1232 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency power amplifier. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum rat
2sc3012.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3012DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 130V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1232Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor audio frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050