Справочник транзисторов. 2SC3019

 

Биполярный транзистор 2SC3019 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC3019
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 520 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для 2SC3019

 

 

2SC3019 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:320K  toshiba
2sc3011.pdf

2SC3019
2SC3019

2SC3011 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC3011 UHF~C Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm High gain: |S21e|2 = 12dB (typ.) Low noise figure: NF = 2.3dB (typ.), f = 1 GHz High fT: f = 6.5 GHz TMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 7

 8.2. Size:28K  no
2sa1232 2sc3012 2sc3012.pdf

2SC3019

 8.3. Size:1244K  kexin
2sc3011.pdf

2SC3019
2SC3019

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC3011SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector Current Capability IC=30mA Collector Emitter Voltage VCEO=7V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collec

 8.4. Size:132K  inchange semiconductor
2sc3012-3pn.pdf

2SC3019
2SC3019

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3012 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SA1232 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency power amplifier. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum rat

 8.5. Size:202K  inchange semiconductor
2sc3012.pdf

2SC3019
2SC3019

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3012DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 130V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1232Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFor audio frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top