2SC3021 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3021  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 520 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: XM5

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2SC3021

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3021 даташит

 8.1. Size:37K  hitachi
 2sc3025 2sc3026.pdf pdf_icon

2SC3021

 8.2. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc3026.pdf pdf_icon

2SC3021

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3026 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage power switching character display horizontal deflection output applic

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
 2sc3025.pdf pdf_icon

2SC3021

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3025 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage power switching character display horizontal deflection output applic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC3014, 2SC3015, 2SC3016, 2SC3017, 2SC3018, 2SC3019, 2SC302, 2SC3020, TIP3055, 2SC3022, 2SC3023, 2SC3024, 2SC3025, 2SC3026, 2SC3027, 2SC3028, 2SC3029