2SC3027 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3027  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2SC3027

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3027 даташит

 8.1. Size:37K  hitachi
 2sc3025 2sc3026.pdf pdf_icon

2SC3027

 8.2. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc3026.pdf pdf_icon

2SC3027

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3026 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage power switching character display horizontal deflection output applic

 8.3. Size:188K  inchange semiconductor
 2sc3025.pdf pdf_icon

2SC3027

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3025 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage power switching character display horizontal deflection output applic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC302, 2SC3020, 2SC3021, 2SC3022, 2SC3023, 2SC3024, 2SC3025, 2SC3026, A1941, 2SC3028, 2SC3029, 2SC302M, 2SC303, 2SC3030, 2SC3031, 2SC3032, 2SC3033