2SC3135S - описание и поиск аналогов

 

2SC3135S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC3135S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: SPA

 Аналоги (замена) для 2SC3135S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3135S даташит

 7.1. Size:127K  sanyo
2sc3135.pdfpdf_icon

2SC3135S

Ordering number EN1049D PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1253/2SC3135 High-hFE, AF Amp Applications Features Package Dimensions High VEBO. unit mm Wide ASO and high durability against breakdown. 2033 [2SA1253/2SC3135] B Base C Collector E Emitter ( ) 2SA1253 SANYO SPA Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditi

 8.1. Size:278K  toshiba
2sc3138-o 2sc3138-y.pdfpdf_icon

2SC3135S

2SC3138 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) 2SC3138 High Voltage Amplifier Applications Unit mm High Voltage Switching Applications High voltage VCBO = 200 V (max) VCEO = 200 V (max) Small flat package Complementary to 2SA1255 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20

 8.2. Size:247K  toshiba
2sc3138.pdfpdf_icon

2SC3135S

2SC3138 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) 2SC3138 High Voltage Switching Applications Unit mm High voltage VCBO = 200 V (max) V = 200 V (max) CEO Small flat package Complementary to 2SA1255 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 200 V Collector-emitter voltage VCEO

 8.3. Size:40K  sanyo
2sa1252 2sc3134.pdfpdf_icon

2SC3135S

Ordering number ENN1048C PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1252/2SC3134 High VEBO, AF Amp Applications Features Package Dimensions High VEBO. unit mm Wide ASO and high durability against breakdown. 2018B [2SA1252/2SC3134] 0.4 0.16 3 0 to 0.1 1 0.95 0.95 2 1.9 2.9 1 Base 2 Emitter ( ) 2SA1252 3 Collector SANYO CP Specifications Absolute Maxim

Другие транзисторы: 2SC3133, 2SC3134, 2SC3134H4, 2SC3134H5, 2SC3134H6, 2SC3134H7, 2SC3135, 2SC3135R, 13005, 2SC3135T, 2SC3135U, 2SC3136, 2SC3137, 2SC3138, 2SC3138O, 2SC3138Y, 2SC3139

 

 

 

 

↑ Back to Top
.