2SC3135S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC3135S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140
Корпус транзистора: SPA
Аналоги (замена) для 2SC3135S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC3135S даташит
2sc3135.pdf
Ordering number EN1049D PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1253/2SC3135 High-hFE, AF Amp Applications Features Package Dimensions High VEBO. unit mm Wide ASO and high durability against breakdown. 2033 [2SA1253/2SC3135] B Base C Collector E Emitter ( ) 2SA1253 SANYO SPA Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Parameter Symbol Conditi
2sc3138-o 2sc3138-y.pdf
2SC3138 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) 2SC3138 High Voltage Amplifier Applications Unit mm High Voltage Switching Applications High voltage VCBO = 200 V (max) VCEO = 200 V (max) Small flat package Complementary to 2SA1255 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20
2sc3138.pdf
2SC3138 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) 2SC3138 High Voltage Switching Applications Unit mm High voltage VCBO = 200 V (max) V = 200 V (max) CEO Small flat package Complementary to 2SA1255 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 200 V Collector-emitter voltage VCEO
2sa1252 2sc3134.pdf
Ordering number ENN1048C PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1252/2SC3134 High VEBO, AF Amp Applications Features Package Dimensions High VEBO. unit mm Wide ASO and high durability against breakdown. 2018B [2SA1252/2SC3134] 0.4 0.16 3 0 to 0.1 1 0.95 0.95 2 1.9 2.9 1 Base 2 Emitter ( ) 2SA1252 3 Collector SANYO CP Specifications Absolute Maxim
Другие транзисторы: 2SC3133, 2SC3134, 2SC3134H4, 2SC3134H5, 2SC3134H6, 2SC3134H7, 2SC3135, 2SC3135R, 13005, 2SC3135T, 2SC3135U, 2SC3136, 2SC3137, 2SC3138, 2SC3138O, 2SC3138Y, 2SC3139
History: BC415CP | BC415BP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675









