Биполярный транзистор 2G1026 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2G1026
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO5
Другие транзисторы... 2CY34 , 2CY38 , 2CY39 , 2G10 , 2G101 , 2G102 , 2G1024 , 2G1025 , S8550 , 2G1027 , 2G103 , 2G104 , 2G106 , 2G108 , 2G109 , 2G110 , 2G138 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050