2N1965 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: 2N1965
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам