Справочник транзисторов. 2SC3233

 

Биполярный транзистор 2SC3233 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC3233
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SC3233

 

 

2SC3233 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  toshiba
2sc3233.pdf

2SC3233
2SC3233

2SC3233 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC3233 Switching Regulator and High Voltage Switching Unit: mm Applications High Speed DC-DC Converter Applications Excellent switching times: tr = 1.0 s (max) t = 1.0 s (max), (I = 0.8 A) f C High collector breakdown voltage: V = 400 V CEOMaximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating

 8.1. Size:184K  inchange semiconductor
2sc3235.pdf

2SC3233
2SC3233

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC3235DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSEspecially suited for high voltage,high speed andhigh power switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

 8.2. Size:193K  inchange semiconductor
2sc3231.pdf

2SC3233
2SC3233

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3231DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = 60V(Min)(BR)CEOLarge Current CapabilityHigh Collector Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

 8.3. Size:198K  inchange semiconductor
2sc3230.pdf

2SC3233
2SC3233

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3230DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = 30V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1276Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Coll

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP122 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2SC4793

 

 
Back to Top