Биполярный транзистор 2SC3298 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3298
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO220
2SC3298 Datasheet (PDF)
2sc3298 2sc3298a 2sc3298b.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon Power Transistors 2SC3298 2SC3298A 2SC3298B DESCRIPTION With TO-220Fa package Complement to type 2SA1306,2SA1306A,2SA1306B APPLICATIONS Power amplifier applications Driver stage amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT Tc=25 SYMBOL PARAMETER CONDITIO
2sc3298 2sc3298a 2sc3298b.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3298 A BDESCRIPTIONWith TO-220F packagingComplement to Type 2SA1306 A BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAC-DC motor controlElectronic ignitionAlternator regulatorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT2SC3298 160V Collector-Base Voltage 2
2sc3298 2sc3298a.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistors 2SC3298/ADESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = 160V(Min)-2SC3298(BR)CEO= 180V(Min)-2SC3298AComplement to Type 2SA1306/AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Driver stage amplifie
2sc3298-a-b.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SC3298/A/BDESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = 160V(Min)-2SC3298(BR)CEO= 180V(Min)-2SC3298A= 200V(Min)-2SC3298BComplement to Type 2SA1306/A/BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Driver stage amplif
2sc3298b.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SC3298BDESCRIPTIONGood Linearity of hFEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = 200V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA1306BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Driver stage amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYM
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050