2N1975 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N1975  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2N1975

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1975 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1968, 2N1969, 2N197, 2N1970, 2N1971, 2N1972, 2N1973, 2N1974, BD335, 2N1978, 2N198, 2N1980, 2N1981, 2N1982, 2N1983, 2N1984, 2N1985