Биполярный транзистор 2N1982 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N1982
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.03 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO36
     - подбор биполярного транзистора по параметрам