2SC3330S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC3330S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 typ MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140
Корпус транзистора: SPA
Аналоги (замена) для 2SC3330S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC3330S даташит
2sc3330m.pdf
2SC3330M(BR3DG3330M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features Large current capacity and wide ASO. / Applications Capable of being used in the low frequency to hi
2sc3333.pdf
2SC3333 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) 2SC3333 High Voltage Switching Applications Unit mm Color TV Chroma Output Applications High voltage VCEO = 250 V Low C 1.8 pF (max) re Complementary to 2SA1320 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 250 V Collector-emitt
Другие транзисторы: 2SC3328O, 2SC3328Y, 2SC3329, 2SC3329BL, 2SC3329GR, 2SC333, 2SC3330, 2SC3330R, D882P, 2SC3330T, 2SC3330U, 2SC3330V, 2SC3331, 2SC3331R, 2SC3331S, 2SC3331T, 2SC3331U
History: 2SAB26N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor









