Биполярный транзистор 2N1989 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1989
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO5
Другие транзисторы... 2N1981 , 2N1982 , 2N1983 , 2N1984 , 2N1985 , 2N1986 , 2N1987 , 2N1988 , C3198 , 2N199 , 2N1990 , 2N1990-46 , 2N1990N , 2N1990R , 2N1990S , 2N1990W , 2N1991 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050