2N1989 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N1989  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1989

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1989 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N1981, 2N1982, 2N1983, 2N1984, 2N1985, 2N1986, 2N1987, 2N1988, 2SD2499, 2N199, 2N1990, 2N1990-46, 2N1990N, 2N1990R, 2N1990S, 2N1990W, 2N1991