2N1990-46 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N1990-46  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO46

 Аналоги (замена) для 2N1990-46

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1990-46 даташит

 9.1. Size:11K  semelab
 2n1991.pdf pdf_icon

2N1990-46

2N1991 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar PNP Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 20V dia. IC = 0.3A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1

Другие транзисторы: 2N1984, 2N1985, 2N1986, 2N1987, 2N1988, 2N1989, 2N199, 2N1990, 8550, 2N1990N, 2N1990R, 2N1990S, 2N1990W, 2N1991, 2N1991S, 2N1992, 2N1993