Справочник транзисторов. 2SC3423Y

 

Биполярный транзистор 2SC3423Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC3423Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: ISO126

 Аналоги (замена) для 2SC3423Y

 

 

2SC3423Y Datasheet (PDF)

 7.1. Size:133K  toshiba
2sc3423.pdf

2SC3423Y
2SC3423Y

2SC3423 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC3423 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Complementary to 2SA1360 Small collector output capacitance: Cob = 1.8 pF (typ.) High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.) Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 150 VCollector-emitt

 7.2. Size:197K  jmnic
2sc3423.pdf

2SC3423Y
2SC3423Y

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3423 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1360 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.3. Size:133K  inchange semiconductor
2sc3423-126.pdf

2SC3423Y
2SC3423Y

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3423 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA1360 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITION

 7.4. Size:196K  inchange semiconductor
2sc3423.pdf

2SC3423Y
2SC3423Y

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3423DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V (Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA1360Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top