Биполярный транзистор 2N1998 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1998
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO5
2N1998 Datasheet (PDF)
9.1. Size:11K semelab
2n1991.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2n1991.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2N1991Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar PNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 20V dia.IC = 0.3A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1
Другие транзисторы... 2N1991 , 2N1991S , 2N1992 , 2N1993 , 2N1994 , 2N1995 , 2N1996 , 2N1997 , 2SD669A , 2N1999 , 2N200 , 2N2000 , 2N2001 , 2N2002 , 2N2003 , 2N2004 , 2N2005 .