Биполярный транзистор 2N200 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N200
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO29
2N200 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1992 , 2N1993 , 2N1994 , 2N1995 , 2N1996 , 2N1997 , 2N1998 , 2N1999 , D965 , 2N2000 , 2N2001 , 2N2002 , 2N2003 , 2N2004 , 2N2005 , 2N2006 , 2N2007 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050