Биполярный транзистор 2G109 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2G109
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.14 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 14 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: TO5
Другие транзисторы... 2G1024 , 2G1025 , 2G1026 , 2G1027 , 2G103 , 2G104 , 2G106 , 2G108 , D209L , 2G110 , 2G138 , 2G139 , 2G140 , 2G141 , 2G20 , 2G201 , 2G202 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050