Биполярный транзистор 2N2016 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N2016
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO36

Другие транзисторы... 2N2003 , 2N2004 , 2N2005 , 2N2006 , 2N2007 , 2N2008 , 2N201 , 2N2015 , D880 , 2N2017 , 2N2018 , 2N2019 , 2N2020 , 2N2021 , 2N2022 , 2N2032 , 2N2033 .