2N2016 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N2016  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO36

 Аналоги (замена) для 2N2016

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2016 даташит

 ..1. Size:631K  rca
2n2016.pdfpdf_icon

2N2016

 9.1. Size:270K  rca
2n2015.pdfpdf_icon

2N2016

Другие транзисторы: 2N2003, 2N2004, 2N2005, 2N2006, 2N2007, 2N2008, 2N201, 2N2015, TIP142, 2N2017, 2N2018, 2N2019, 2N2020, 2N2021, 2N2022, 2N2032, 2N2033