2N2017 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N2017  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N2017

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2017 даташит

 9.1. Size:270K  rca
2n2015.pdfpdf_icon

2N2017

 9.2. Size:631K  rca
2n2016.pdfpdf_icon

2N2017

Другие транзисторы: 2N2004, 2N2005, 2N2006, 2N2007, 2N2008, 2N201, 2N2015, 2N2016, 2N2907, 2N2018, 2N2019, 2N2020, 2N2021, 2N2022, 2N2032, 2N2033, 2N2033S