Биполярный транзистор 2N2018 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2018
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: MT11
2N2018 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N2005 , 2N2006 , 2N2007 , 2N2008 , 2N201 , 2N2015 , 2N2016 , 2N2017 , BF422 , 2N2019 , 2N2020 , 2N2021 , 2N2022 , 2N2032 , 2N2033 , 2N2033S , 2N2034 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050