Справочник транзисторов. 2SC3574

 

Биполярный транзистор 2SC3574 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3574
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3574 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:108K  sanyo
2sc3576.pdfpdf_icon

2SC3574

Ordering number:EN1799DNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3576High hFE, Low-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions LF general-purpose amplifiers, various drivers,unit:mmmuting circuit.2033[2SC3576]Features Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=800 to 3200). Low collector-to-emitter saturation vo

 8.2. Size:136K  nec
2sc3570.pdfpdf_icon

2SC3574

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC3570NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHINGThe 2SC3570 is a mold power transistor developed for high- PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)voltage high-speed switching, and is ideal for use in drivers such asswitching regulators, DC/DC converters, and high-frequency poweramplifiers.FEATURES Mold package that do

 8.3. Size:180K  nec
2sc3571.pdfpdf_icon

2SC3574

 8.4. Size:187K  nec
2sc3572.pdfpdf_icon

2SC3574

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: FB4015 | TEC9015C | BSP62T1 | UN2117R | 2SC3127 | 2N2090 | DTC123TET1G

 

 
Back to Top

 


 
.