Биполярный транзистор 2SC3575 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC3575
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: TO220
Аналог (замена) для 2SC3575
2SC3575 Datasheet (PDF)
2sc3576.pdf

Ordering number:EN1799DNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3576High hFE, Low-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions LF general-purpose amplifiers, various drivers,unit:mmmuting circuit.2033[2SC3576]Features Adoption of FBET process. High DC current gain (hFE=800 to 3200). Low collector-to-emitter saturation vo
2sc3570.pdf

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC3570NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-VOLTAGE HIGH-SPEED SWITCHINGThe 2SC3570 is a mold power transistor developed for high- PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)voltage high-speed switching, and is ideal for use in drivers such asswitching regulators, DC/DC converters, and high-frequency poweramplifiers.FEATURES Mold package that do
Другие транзисторы... 2SC3567 , 2SC3568 , 2SC3569 , 2SC3570 , 2SC3571 , 2SC3572 , 2SC3573 , 2SC3574 , 2N2222 , 2SC3576 , 2SC3577 , 2SC3578 , 2SC3579 , 2SC3580 , 2SC3581 , 2SC3582 , 2SC3583 .
History: SD4261 | 2SB279 | TN4143
History: SD4261 | 2SB279 | TN4143



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor