Справочник транзисторов. 2SC3596E

 

Биполярный транзистор 2SC3596E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC3596E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SC3596E

 

 

2SC3596E Datasheet (PDF)

 7.1. Size:118K  sanyo
2sa1402 2sc3596.pdf

2SC3596E
2SC3596E

Ordering number:EN1761BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1402/2SC3596Ultrahigh-Difinition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions Ultrahigh-definition CRT display.unit:mm Video output.2009B Color TV chroma output.[2SA1402/2SC3596] Wide-band amp.Features High fT: fT typ=700MHz. Small reverse transfer capacit

 8.1. Size:77K  sanyo
2sc3591.pdf

2SC3596E
2SC3596E

 8.2. Size:124K  sanyo
2sa1405 2sc3599.pdf

2SC3596E
2SC3596E

Ordering number:EN1764BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1405/2SC3599Ultrahigh-Difinition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions Ultrahigh-definition CRT display.unit:mm Video output.2009B Color TV chroma output.[2SA1405/2SC3599] Wide-band amp.Features High fT : fT typ=500MHz. High breakdown voltage : VCEO

 8.3. Size:91K  sanyo
2sc3595.pdf

2SC3596E
2SC3596E

Ordering number:EN1756BNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3595Ultrahigh-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions Ultrahigh-definition CRT display.unit:mm Video output driver.2009B Wideband amplifiers.[2SC3595]Features High fT : fT typ=2.0GHz. High current : IC=500mA.1 : Emitter2 : Collector3 : BaseJE

 8.4. Size:119K  sanyo
2sa1404 2sc3598.pdf

2SC3596E
2SC3596E

Ordering number:EN1763BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1404/2SC3598Ultrahigh-Difinition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplictions Package Dimensions Ultrahigh-definition CRT display.unit:mm Video output.2009B Color TV chroma output.[2SA1404/2SC3598] Wide-band amp.Features High fT : fT typ=500MHz. High breakdown voltage : VCEO

 8.5. Size:118K  sanyo
2sa1403 2sc3597.pdf

2SC3596E
2SC3596E

Ordering number:EN1762BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1403/2SC3597Ultrahigh-Difinition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions Ultrahig-definition CRT display.unit:mm Video output.2009B Color TV chroma output.[2SA1403/2SC3597] Wide-band amp.Features High fT : fT typ=800MHz. Small reverse transfer capacit

 8.6. Size:194K  inchange semiconductor
2sc3591.pdf

2SC3596E
2SC3596E

isc Silicon NPN Power Transistors 2SC3591DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOFast Switching SpeedLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high definition CRT display horizontal deflectionoutput applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 8.7. Size:194K  inchange semiconductor
2sc3590.pdf

2SC3596E
2SC3596E

isc Silicon NPN Power Transistors 2SC3590DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min)(BR)CEOFast Switching SpeedLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high definition CRT display horizontal deflectionoutput applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top