Справочник транзисторов. 2SC3620

 

Биполярный транзистор 2SC3620 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3620
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO126
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3620 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  toshiba
2sc3620.pdfpdf_icon

2SC3620

 8.1. Size:206K  toshiba
2sc3621.pdfpdf_icon

2SC3620

 8.2. Size:128K  nec
2sc3623 2sc3623a.pdfpdf_icon

2SC3620

DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SC3623, 3623ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) High hFE:hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO:VEBO: 12 V (2SC3623)VEBO: 15 V (2SC3623A)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C

 8.3. Size:101K  nec
2sc3622 2sc3622a.pdfpdf_icon

2SC3620

DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SC3622, 3622ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOWFREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) High hFE:hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO:VEBO: 12 V (2SC3622)VEBO: 15 V (2SC3622A)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | TTA1586FU | MS1329 | BD524 | PN5127

 

 
Back to Top

 


 
.