2SC3625. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC3625

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SC3625

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3625 даташит

 8.1. Size:206K  toshiba
2sc3621.pdfpdf_icon

2SC3625

 8.2. Size:212K  toshiba
2sc3620.pdfpdf_icon

2SC3625

 8.3. Size:128K  nec
2sc3623 2sc3623a.pdfpdf_icon

2SC3625

DATA SHEET SILICON TRANSISTORS 2SC3623, 3623A NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHING FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) High hFE hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO VEBO 12 V (2SC3623) VEBO 15 V (2SC3623A) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C

 8.4. Size:101K  nec
2sc3622 2sc3622a.pdfpdf_icon

2SC3625

Другие транзисторы: 2SC3620, 2SC3621, 2SC3622, 2SC3622A, 2SC3623, 2SC3623A, 2SC3624, 2SC3624A, TIP32C, 2SC3626, 2SC3627, 2SC3628, 2SC3629, 2SC363, 2SC3630, 2SC3631, 2SC3632