Справочник транзисторов. 2SC3625

 

Биполярный транзистор 2SC3625 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3625
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3625 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:206K  toshiba
2sc3621.pdfpdf_icon

2SC3625

 8.2. Size:212K  toshiba
2sc3620.pdfpdf_icon

2SC3625

 8.3. Size:128K  nec
2sc3623 2sc3623a.pdfpdf_icon

2SC3625

DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SC3623, 3623ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) High hFE:hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO:VEBO: 12 V (2SC3623)VEBO: 15 V (2SC3623A)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C

 8.4. Size:101K  nec
2sc3622 2sc3622a.pdfpdf_icon

2SC3625

DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SC3622, 3622ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOWFREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) High hFE:hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO:VEBO: 12 V (2SC3622)VEBO: 15 V (2SC3622A)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25

Другие транзисторы... 2SC3620 , 2SC3621 , 2SC3622 , 2SC3622A , 2SC3623 , 2SC3623A , 2SC3624 , 2SC3624A , 2SC828 , 2SC3626 , 2SC3627 , 2SC3628 , 2SC3629 , 2SC363 , 2SC3630 , 2SC3631 , 2SC3632 .

History: D44VM4 | KSC2759O | ZTX321L | PN2484R | UMB6N | SD451 | 2SC1623-L4

 

 
Back to Top

 


 
.