Справочник транзисторов. 2SC3628

 

Биполярный транзистор 2SC3628 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3628
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: XM5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3628 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:206K  toshiba
2sc3621.pdfpdf_icon

2SC3628

 8.2. Size:212K  toshiba
2sc3620.pdfpdf_icon

2SC3628

 8.3. Size:128K  nec
2sc3623 2sc3623a.pdfpdf_icon

2SC3628

DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SC3623, 3623ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) High hFE:hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO:VEBO: 12 V (2SC3623)VEBO: 15 V (2SC3623A)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C

 8.4. Size:101K  nec
2sc3622 2sc3622a.pdfpdf_icon

2SC3628

DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SC3622, 3622ANPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOWFREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND SWITCHINGFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) High hFE:hFE = 1000 to 3200 @VCE = 5.0 V, IC = 1.0 mA Low VCE(sat):VCE(sat) = 0.07 V TYP. @IC/IB = 50 mA/5.0 mA High VEBO:VEBO: 12 V (2SC3622)VEBO: 15 V (2SC3622A)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BD402 | 40968 | MRF342 | BFR71 | MRF9411BLT3 | 41501

 

 
Back to Top

 


 
.