2SC3647R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC3647R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SC3647R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3647R даташит

 7.1. Size:141K  sanyo
 2sc3647.pdf pdf_icon

2SC3647R

Ordering number EN2006A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1417/2SC3647 High-Voltage Switching Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes. unit mm High breakdown voltage and large current capacity. 2038 Fast switching time. [2SA1417/2SC3647] Very small size making it easy to provide high- density, small-sized hybrid ICs. E

 7.2. Size:57K  sanyo
 2sa1417 2sc3647.pdf pdf_icon

2SC3647R

Ordering number EN2006C 2SA1417 / 2SC3647 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Voltage Switching 2SA1417 / 2SC3647 Applications Features Adoption of FBET, MBIT processes. High breakdown voltage and large current capacity. Ultrasmall size making it easy to provide high-density small-sized hybrid ICs. Specifications ( ) 2S

 7.3. Size:158K  onsemi
 2sa1417 2sc3647.pdf pdf_icon

2SC3647R

DATA SHEET www.onsemi.com Bipolar Transistor 1 2 (-)100 V, (-)2 A, Low VCE(sat), 3 SOT-89-3 (PNP) NPN Single PCP CASE 419AU 2SA1417, 2SC3647 ELECTRICAL CONNECTION Features 2 2 Adoption of FBET, MBIT Processes 1 Base High Breakdown Voltage and Large Current Capacity 1 1 2 Collector Ultrasmall Size Making it Easy to Provide High-density Small-sized 3 Emitter

 7.4. Size:213K  onsemi
 2sa1417s 2sa1417t 2sc3647s 2sc3647t.pdf pdf_icon

2SC3647R

Ordering number EN2006D 2SA1417/2SC3647 Bipolar Transistor http //onsemi.com (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Fast switching speed Ultrasmall size making it easy to provide high-density small-sized hybrid ICs Specifications ( ) 2SA1417 Absolute Maximum Rati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC3645R, 2SC3645S, 2SC3645T, 2SC3646, 2SC3646R, 2SC3646S, 2SC3646T, 2SC3647, BD140, 2SC3647S, 2SC3647T, 2SC3648, 2SC3648R, 2SC3648S, 2SC3648T, 2SC3649, 2SC3649R