Биполярный транзистор 2SC3665O
Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC3665O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора:
TOSH2
Аналог (замена) для 2SC3665O
-
подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC3665O
Datasheet (PDF)
8.4. Size:33K sanyo
2sc3664.pdf 
Ordering number:EN2488NPN Triple Diffused Planar Type Darlington Silicon Transistor2SC3664400V/20A Driver ApplicationsApplications Package Dimensions Induction cookers.unit:mm High-voltage, high power switching.2022A[2SC3664]Features Fast speed (adoption of MBIT process). High breakdown voltage (VCBO=800V). High reliability (adoption of HVP process).
8.5. Size:87K sanyo
2sc3661.pdf 
Ordering number:EN1854ANPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3661High hFE, Low-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions Low frequency general-purpose amplifiers, drivers,unit:mmmuting circuit.2018A[2SC3661]Features Very small-sized package permitting 2SC3661-usedsets to be made smaller, slimmer. Adoption of FBET proc
8.6. Size:110K nec
2sc3663.pdf 
DATA SHEETDATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC3663NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATIONFEATURESPACKAGE DIMENSIONS (in mm) Low-voltage, low-current, low-noise and high-gain2.8 0.2NF = 3.0 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 250 A, f = 1.0 GHz+0.11.5 0.650.15GA = 3.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 250 A, f = 1.0 GHz Ideal for battery driv
8.7. Size:270K utc
2sc3669.pdf 
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC3669 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage VCE(SAT)=0.5V (Max.) * High speed switching time: TSTG=1.0s (Typ.) ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SC3669L-x-AA3-R 2SC3669G-x-AA3-R SOT
8.8. Size:1389K kexin
2sc3663.pdf 
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC3663SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=5mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=8V+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 15 Collecto
8.9. Size:947K kexin
2sc3661.pdf 
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC3661SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=300mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=25V+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 30 Collec
Другие транзисторы... 2SC3659
, 2SC366
, 2SC3660
, 2SC3661
, 2SC3662
, 2SC3663
, 2SC3664
, 2SC3665
, TIP31
, 2SC3665Y
, 2SC3666
, 2SC3666O
, 2SC3666Y
, 2SC3667
, 2SC3667O
, 2SC3667Y
, 2SC3668
.
History: KRC858E
