Справочник транзисторов. 2SC3669O

 

Биполярный транзистор 2SC3669O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3669O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TOSH2
 

 Аналог (замена) для 2SC3669O

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3669O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:192K  toshiba
2sc3669.pdfpdf_icon

2SC3669O

 7.2. Size:270K  utc
2sc3669.pdfpdf_icon

2SC3669O

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC3669 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage VCE(SAT)=0.5V (Max.) * High speed switching time: TSTG=1.0s (Typ.) ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SC3669L-x-AA3-R 2SC3669G-x-AA3-R SOT

 8.1. Size:175K  toshiba
2sc3666.pdfpdf_icon

2SC3669O

 8.2. Size:217K  toshiba
2sc3668.pdfpdf_icon

2SC3669O

Другие транзисторы... 2SC3666Y , 2SC3667 , 2SC3667O , 2SC3667Y , 2SC3668 , 2SC3668O , 2SC3668Y , 2SC3669 , 2SC2655 , 2SC3669Y , 2SC366G , 2SC366GO , 2SC366GR , 2SC366GY , 2SC367 , 2SC3670 , 2SC3670A .

 

 
Back to Top

 


 
.