2SC371GO. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC371GO

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC371GO

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC371GO даташит

 8.1. Size:213K  toshiba
2sc3710.pdfpdf_icon

2SC371GO

 8.2. Size:224K  toshiba
2sc3710a.pdfpdf_icon

2SC371GO

 8.3. Size:30K  jmnic
2sc3710.pdfpdf_icon

2SC371GO

Power Transistors www.jmnic.com 2SC3710 Silicon NPN Transistors Features B C E With TO-220Fa package Complement to type 2SA1452 Hihg current switching applications Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNIT VCBO Collector to base voltage 80 V VCEO Collector to emitter voltage 80 V VEBO Emitter to base voltage 6 V IB Base current 2 A IC Colle

 8.4. Size:601K  shindengen
2sc3714.pdfpdf_icon

2SC371GO

Другие транзисторы: 2SC3713, 2SC3714, 2SC3715, 2SC3716, 2SC3717, 2SC3718, 2SC3719, 2SC371G, TIP127, 2SC371GR, 2SC371O, 2SC371R, 2SC371-T, 2SC372, 2SC3720, 2SC3721, 2SC3722