2SC3752M datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SC3752M 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO220F
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SC3752M
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC3752M даташит
2sc3752.pdf
Ordering number EN1971A NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3752 800V/3A Switching Regulator Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage and high reliability. unit mm Fast switching speed. 2041A Wide ASO. [2SC3752] Adoption of MBIT process. Micaless package facilitating mounting. 1 Base 2 Collector 3 Emitter SANYO TO-2
2sc3752.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3752 DESCRIPTION High Breakdown Voltage and High Reliability High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching regulator applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Volt
2sc3751.pdf
Ordering number ENN1970B 2SC3751 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3751 800V / 1.5A Switching Regulator Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage and high reliability. unit mm Fast switching speed. 2041A Wide ASO. [2SC3751] Adoption of MBIT process. 4.5 Micaless package facilitating mounting. 10.0 2.8 3.2 2.4 1.6 1
2sc3750.pdf
Ordering number EN1969A NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3750 500V/5A Switching Regulator Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage and high reliability. unit mm Fast switching speed. 2041A Wide ASO. [2SC3750] Adoption of MBIT process. Micaless package facilitating mounting. 1 Base 2 Collector 3 Emitter SANYO TO-2
Другие транзисторы: 2SC3750N, 2SC3751, 2SC3751K, 2SC3751L, 2SC3751M, 2SC3752, 2SC3752K, 2SC3752L, D882, 2SC3753, 2SC3754, 2SC3755, 2SC3756, 2SC3757, 2SC3758, 2SC3759, 2SC376
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet






