2SC3789E datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC3789E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3789E 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: ISO126

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC3789E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC3789E даташит

7.1. Size:157K sanyo
2sa1479 2sc3789.pdf pdf_icon

Ordering number EN2093 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1479/2SC3789 High-Definiton CRT Display Video Output Applications Applications Package Dimensions High-definition CRT display. unit mm Color TV chroma output, high breakdown voltage 2042A drivers. [2SA1479/2SC3789] Features High breakdown voltage (VCEO 300V). Excellent high frequency characte

8.1. Size:170K toshiba
2sc3783.pdf pdf_icon

8.2. Size:135K sanyo
2sa1477 2sc3787.pdf pdf_icon

Ordering number EN2089B PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1477/2SC3787 160V/140mA Switching Applications Applications Package Dimensions Predrivers for 100W power amplifiers. unit mm 2042B Features [2SA1477/2SC3787] Adoption of FBET process. Excellent linearity of hFE. Small Cob. Plastic-convered heat sink facilitating high-density mounting (TO-126M

8.3. Size:81K sanyo
2sc3784.pdf pdf_icon