2SC3874 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3874  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO3PL

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC3874

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3874 даташит

 ..1. Size:62K  panasonic
2sc3874.pdfpdf_icon

2SC3874

Power Transistors 2SC3874 Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 3.3 0.2 20.0 0.5 5.0 0.3 3.0 Features High-speed switching High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) 1.5 Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE 1.5 2.0 0.3 Absolute Maximum Ratings (TC=25 C) 2.7

 ..2. Size:175K  jmnic
2sc3874.pdfpdf_icon

2SC3874

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3874 DESCRIPTION With TO-3PL package High speed switching High VCBO Wide area of safe operation APPLICATIONS For high-speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratin

 ..3. Size:185K  inchange semiconductor
2sc3874.pdfpdf_icon

2SC3874

isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3874 DESCRIPTION Silicon NPN triple diffusion planar type High Switching Speed Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage high-speed switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNI

 8.1. Size:175K  1
2sc3873.pdfpdf_icon

2SC3874

Power Transistors 2SC3873 Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 15.0 0.3 5.0 0.2 Features 11.0 0.2 3.2 High-speed switching High collector to base voltage VCBO 3.2 0.1 Wide area of safe operation (ASO) Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE Full-pack package which can be installed to the hea

Другие транзисторы: 2SC3868, 2SC3869, 2SC386A, 2SC387, 2SC3870, 2SC3871, 2SC3872, 2SC3873, BC557, 2SC3875, 2SC3876, 2SC3877, 2SC3878, 2SC3879, 2SC387A, 2SC387AG, 2SC387G