2SC3895A datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC3895A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3895A 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 210 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: ISOWATT218

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC3895A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC3895A даташит

7.1. Size:84K sanyo
2sc3895.pdf pdf_icon

Ordering number EN2966B NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3895 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed (tf=100ns typ). unit mm High breakdown voltage (VCBO=1500V). 2039D High reliability (Adoption of HVP process). [2SC3895] Adoption of MBIT process. 1 Base 2 Collector 3

7.2. Size:178K inchange semiconductor
2sc3895.pdf pdf_icon

8.1. Size:96K sanyo
2sc3896.pdf pdf_icon

Ordering number EN4097 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3896 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed (tf=100ns typ). unit mm High reliability (Adoption of HVP process). 2039D High breakdown voltage (VCBO=1500V). [2SC3896] Adoption of MBIT process. 1 Base 2 Collector 3 E

8.2. Size:93K sanyo
2sc3897.pdf pdf_icon

Ordering number EN4098 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC3897 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed (tf=100ns typ). unit mm High reliability (Adoption of HVP process). 2039D High breakdown voltage (VCBO=1500V). [2SC3897] Adoption of MBIT process. 1 Base 2 Collector 3 E