2SC3907O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3907O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 180 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 280 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC3907O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3907O даташит

 ..1. Size:177K  cn sptech
 2sc3907r 2sc3907o.pdf pdf_icon

2SC3907O

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3907 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 180V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SA1516 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAME

 7.1. Size:48K  wingshing
 2sc3907.pdf pdf_icon

2SC3907O

2SC3907 NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER SC-65 High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SA1516 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 180 V Collector-Emitter Voltage VCEO 180 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 12 A

 7.2. Size:1284K  cn sps
 2sc3907t4tl.pdf pdf_icon

2SC3907O

2SC3907T4TL Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 180V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SA1516 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base

 7.3. Size:223K  inchange semiconductor
 2sc3907.pdf pdf_icon

2SC3907O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3907 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 180V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SA1516 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC3902R, 2SC3902S, 2SC3902T, 2SC3903, 2SC3904, 2SC3905, 2SC3906, 2SC3907, BC547B, 2SC3907R, 2SC3908, 2SC3909, 2SC390D, 2SC391, 2SC3910, 2SC3912, 2SC3913