Биполярный транзистор 2SC3989L Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC3989L
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 260 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO264
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SC3989L Datasheet (PDF)
2sc3989.pdf

Ordering number:EN2556NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC3989500V/25A Switching Regulator ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage, high reliability.unit:mm Fast switching speed (tf=0.1 s typ).2048B Adoption of MBIT process.[2SC3989]1 : Base2 : Collector3 : EmitterSANYO : TO-3PBLSpecificationsAbsolute Maximum Ratings
2sc3989.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3989DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 500V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator and general purposeapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO
2sc3988.pdf

Ordering number:EN2232BNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC3988500V/25A Switching Regulator ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage, high reliability.unit:mm Fast switching speed.2022A Wide ASO.[2SC3988] Adoption of MBIT process.1 : Base2 : Collector3 : EmitterSANYO : TO-3PBSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at
2sc3986.pdf

Ordering number:EN2220BNPN Planar Silicon Darlington Transistor2SC3986Driver ApplicationsApplications Package Dimensions Suitable for use in switching of L load (motorunit:mmdrivers, printer hammer drivers, relay drivers).2041A[2SC3986]Features High DC current gain. Large current capacity and wide ASO. On-chip Zener diode of 60 10V between collectorand
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BFR193W | DTA123JS3 | PBLS2003D | BU526A-8 | BC846CLT1G | FJP13007H2TU | 2SD1667Q
History: BFR193W | DTA123JS3 | PBLS2003D | BU526A-8 | BC846CLT1G | FJP13007H2TU | 2SD1667Q



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor