Биполярный транзистор 2N2100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2100
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO5
2N2100 Datasheet (PDF)
2n2102.pdf
2N2102EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ANDSWITCHDESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintended for a wide variety of small-signall andmedium power applications in military andindustrial equipments.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collec
2n2102 .pdf
2N2102EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ANDSWITCHDESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintended for a wide variety of small-signall andmedium power applications in military andindustrial equipments.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collec
2n2102-a.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
2n2102.pdf
2N2102Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 65V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3
2n2102.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N2102TO-39Metal Can PackageAmplifier TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 65 VCollector Emitter Voltage, RBE
Другие транзисторы... 2N2094 , 2N2094A , 2N2095 , 2N2096 , 2N2097 , 2N2098 , 2N2099 , 2N21 , BC556 , 2N2100A , 2N2101 , 2N2102 , 2N2102A , 2N2102L , 2N2102S , 2N2104 , 2N2104A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050